Şekil 1.5 ‘de thyristörün anot – katot uçlarına doğru polarmalı bir gerilim uygulanmıştır. Bu durumda devreden sızıntı akımı dışında akım geçmez. Gerilim belli bir değere kadar artırılırsa thyristör iletime geçer. Bu andaki thyristör akımı devreye bağlanan bir yük ile sınırlandırılmaktadır.

Şekil 1.6 ‘da thyristör anot – katot uçlarına ters polarmalı bir gerilim uygulanmıştır. Bu anda thyristörden sızıntı akımı dışında akım geçmez. Gerilimin belli bir değerinden sonra thyristörden büyük değerde akım geçer ve thyristör bozulur.

Thyristörün anot – katot gerilimini aşma dışında iletime geçirilmesi için çeşitli metotlar vardır.

Doğru Akımda İletimi

1. Doğru yönde anot – katot gerilimini aşarak.
2. Işık enerjisi ile
3. Yüksek değişme dereceli anot – katot gerilimi uygulayarak.
4. Termik yolla (sıcaklığın artırılması ile)
5. Gate akımıyla

Bu metodlardan en çok kullanılanı gate akımı ile thyristörün iletime geçirilmesidir. Doğru yönde anot – katot gerilimini aşarak iletime geçirme yukarıda anlatılmıştır. (Şekil 1.5)

Işık enerjisi ile: Thyristörün silikon yapısına bir mercek sistemi ile görünen veya kızıl ötesi bir ışın uygulanırsa elektron – oyuk hareketi başlar. Thyristörün anot – katot arası iç direnci azalarak iletime geçer. Bu iletim şekli foto thyristörlerde kullanılır.

Yüksek değişme derceli anot-katot gerilimi uygulama: Anot – katot arasına doğru polarma yönünde anot (+), katot (-) olacak şekilde çok hızlı değişim gösteren bir gerilim uygulanırsa thyristör iletime geçer. Bunun sebebi thyristörü birleştiren tabakaların kondansatör etkisi göstererek üzerinde gerilim endüklemeleridir. Şarj gerilimi belli bir değere ulaşdığında thyristör iletime geçer.

Termik yolla: Thyristörü birleştiren tabakalardaki sıcaklığın artması, istenmeyen kaçak akımları artırır. Kaçak akımların değeri thyristörü iletime geçirecek değere ulaştığında, thyristör iletime geçer. Bu şekilde thyristörün iletime geçmesi istenmez.

Thyristörün Gate Akımı ile İletime Geçmesi

Şekil 1.7 – Thyristörün Gate Akımı ile İletime Geçmesi

Şekil 1.38 ‘deki devrede thyristörün anoduna (+), katoduna {-) gerilim kaynağından gerilim V_CC kaynağını ve S₁ anahtarı üzerinden uygulanmaktadır. L lambası akım sınırlayıcı yük olarak bağlanmıştır. S₁ anahtarı kapatıldığında
kapatıldığında anot – katot uçlarına V_CC gerilim kaynağından gerilim uygulanır. Gerilimin normal değerlerinde thyristörden sadece sızıntı akımı geçer. Bu durumda thyristör yalıtmdadır, lamba yanmaz.

Thyristörün geyt ucuna S₂ anahtarı kapatılarak düz polarmalı küçük değerli V_g gerilimi uygulayalım. Bu gerilim thyristörün gerilim setini ortadan kaldırmaktadır. Bu anda thyristörün anodundan katoduna doğru büyük bir akım akar. Böylece thyristör iletime geçmiş olur. Devrede seri bağlı olan lamba yanar. S₂ anahtarı açılarak V_g gerilimi kesildiğinden thyristör iletimde kalmaya devam eder.
Devrede kullanılan R_g direnci gate akımını sınırlayarak thyristörün bozulmasını önler. Değeri tetikteme akımı dikkate alınarak seçilir.

IH = İletimde tutma akımı VK0 = Düz yönde kırılma gerilimi Şekil 1.8 – Thyristörün Karakteristik Eğrisi

Şekil 1.8 ‘de Thyristörün karakteristik eğrisi görülmektedir. Thyristör yalıtkan iken, anot – katot arası ister ters, ister düz polarmalı olsun içinden çok küçük sızıntı akımı geçer. Ters polarmada ters kırılma gerilimine ulaşıldığında sızıntı akımı aniden çok yükselir. Bu istenmeyen bir durumdur, thyristörü bozar.

Düz polarmada thyristör kırılma gerilimine ulaştığında iletime geçer. Gate gerilimi belirli bir değere kadar artırılırsa kırılma gerilimin daha küçük değerlere düştüğü görülür. Thyristör daha düşük gerilimlerde iletime geçer. İletime geçen thyristörün direnci çok küçülür. Thyristörün anot akımı "I_H" tutma akımının altına düştüğünde ise iletim kesilir.