MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür.

Kısaca, MOSFET, IGFET yada Surface Field Effect Transistör de denir.

MOSFET, JFET’ e pek çok yönden benzerlik gösterir. JFET’ de Gate Source ters polarmalanmış bir PN oluşturmaktadır. MOSFET’ de böyle değildir. MOSFET’ de gate öyle oluşturulmuşturki drain ile source arasındaki bölge üzerine silikon dioksit ve onun üzerine de gate elektrodu (metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece gate metal elektrodu ile drain ve source arasına bir yalıtkan konulmuş olur. Buradaki yulıkan silikon dioksit dir. Bütün oksitler iyi birer yalıtkandır. Hatırlarsanız, oksitlenmiş kontaklardan elektrik akımı geçmez ve biz de oksitlenmiş yerleri temizleriz. Metal oksit ve yarı iletken ile bir Gate oluşturur ve MOSFET adının oluşmasını sağlar. Bu nedenle gate gerilimine JFET’ de olduğu gibi bir sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir. Gate yalıtkanı o kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile bu yalıtkanı delmeye yeter. Ayrıca bu yalıtkan yüzünden gate akımı neredeyse hiç yoktur ve giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak gate akımı 10 ^-14 A (0,01piko amper) ve 10^-14 ohm (10.000 Giga ohm).

Yukarda anlatıldıgı gibi gate geriliminin sınırlı olmaması ayrıca MOSFET’ de iki durumda çalışma olanağı sağlar. Bunlar "Arttırılmış – Enhancement" ve "Azaltıcı – Depletion" çalışma şekilleridir.

Enhancemen tipi bir MOSFET’ in iç yapısı ve sembolleri aşağıdaki şekilde görülmektedir.

N⁺ nın anlamı, n katkılı bölgenin fazlaca n katkılanmış olmasıdır. Enhancement MOSFET’ lere normal olarak çalışmayan "OFF" MOSFET lerde denir.

Enhancemen MOSFET’ ler uygun şekilde bayslanmadığı sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü gate bayasının sıfır olması ile drain – source arasında iki tane arka arkaya bağlanmış PN eklemi vardır. Drain – Source voltajı ne değerde olursa olsun drain akımı akmaz.
Depletion tipi bir MOSFET’ iç yapısı ve şekilleri aşağıda görülmektedir.

Depletion tipi MOSFET’ ler depletion tiplerinin tam tersidir. Bu tip MOSFET’ ler normalde "ON" tipi MOSFET’ lerdir. Gate uygun şekilde bayslanmadığı sürece akım geçirirler.

Yukarıdada Enhancement ve Depletion MOSFET’ lerinin rakteristikleri görülmektedir.

MOSFET ile ilgili hesaplamalar JFET ile büyük benzerlik gösterdiği için bu konuya girmeyeceğim.I_D akımını veren formül;

I_D= I_DSS x (1- (V_GS/VT)²

MOSFET, girişinde hiç güç harcamadığı için ve drain – source arası tam olarak "ON" yapıldığında üzerinde çok az güç harcar. Bu nedenle içinde çok sayıda transistör olması istenen entegre devrelerin vazgeçilmez parçalarıdır. Yazımın baş taraflarında da söz ettiğim gibi MOSFET’ in gate sini oluşturan dioksit çok ince olduğundan vücut elektriğinden bile kolayca bozulabilir. Bu durumu önlemek için gate ile MOSFET’ i oluşturan alt taş (substrate) arasına bir zener diyot fabrikasyon olarak yerleştirilir. Bu zenerin iletime geçme voltajı düşük olacağına göre dışardan gelebilecek gerilimler zener üzerinden kısa devre olur. Fabrikasyon tedbirler alınmasına rağmen bu tür transistörleri taşırken dikkatli olmalı, eğer bacakları bir tel yada benzeri bir şeyle kısa devre edilmişse bunu, transistörü yerine takıdıktan sonra çıkarmalıdır.